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Samsung 开始生产 10 纳米级 DRAM
据 TIMES，Samsung 已经开始生产 10 纳米级 DRAM。据悉，Samsung 在今年年 初宣布半导体事业 2016年 将正式进入 10 纳米时代，借着量产 18 纳米 DRAM 与 10 纳米鳍式场效晶体管 (FinFET) 制程芯片，以扩大技术差距的策略守住半导体领先优势。业界认为 Samsung 最快在 2016 Q4 就可采用 10 纳米 FinFET 制程量产系统半导体，进度可望超越 Intel 的 14 纳米与台积电的 16 纳米制程。